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固体物理学の初歩

固体(凝縮系)物理学は、多数の原子・電子が相互作用しながら作る「物質の性質」を、量子力学と統計物理を基礎に理解する分野である。結晶構造と対称性、格子振動(フォノン)、周期ポテンシャル中の電子(バンド)、さらに相互作用が生む磁性・超伝導・トポロジカル相などを、共通の言葉で記述することを目指す。

参考ドキュメント

  1. MIT OpenCourseWare, Physics of Solids I (8.231)
    https://ocw.mit.edu/courses/8-231-physics-of-solids-i-fall-2006/
  2. 東京大学物性研究所, ISSP Note Collection(物性分野の講義ノート公開ポータル)
    https://www.issp.u-tokyo.ac.jp/labs/tosyo/note/
  3. 理化学研究所(理研)プレスリリース, 結晶のひずみを抑えて超伝導を発現(2025-12-11)
    https://www.riken.jp/press/2025/20251211_1/index.html

1. 凝縮系物理が扱う対象とスケール

凝縮系物理が扱うのは、固体・液体・超流動・超伝導など、粒子が高密度に存在し相互作用が支配的な状態である。固体に限っても、金属・半導体・絶縁体・磁性体・誘電体・超伝導体・強相関物質・トポロジカル物質など、性質は多様である。

重要なのは、単一原子の性質を足し合わせただけでは現れない「集団的性質」が現れる点である。例えば、電気抵抗の温度依存、フォノンによる熱容量、スピン秩序、クーパー対形成などは、多体系としての記述が不可欠である。

スケールの概観は次のように整理できる。

観点代表的スケール具体例
原子間距離0.1–1 nm格子定数、結合長
逆格子・波数1/nm 程度ブリルアンゾーン、回折
エネルギーmeV–eVフォノン(meV)、バンド幅(eV)
時間fs–ns 以上電子散乱、スピンダイナミクス
巨視的応答mm–m電気伝導、磁化、熱伝導

2. 結晶構造と対称性

2.1 ブラベー格子と単位胞

結晶は、平行移動対称性をもつ原子配列である。格子ベクトル a1,a2,a3 により、格子点は

R=n1a1+n2a2+n3a3(niZ)

と表される。単位胞は、空間を重なりなく埋める最小の繰り返し単位である。基底(basis)を格子点に付与すると、具体的な結晶構造が得られる。

2.2 逆格子とブリルアンゾーン

逆格子ベクトル bi

aibj=2πδij

を満たすように定義され、波数空間の自然な座標系を与える。逆格子点は

G=hb1+kb2+lb3(h,k,lZ)

である。

第一ブリルアンゾーン(BZ)は、逆格子のウィグナー・ザイツ胞に相当し、電子状態やフォノン分散を議論する基本領域となる。

2.3 対称性と物性

結晶の点群・空間群対称性は、許される物性応答(テンソルの形)を制約する。例えば、中心対称性がある結晶では一次の圧電効果が禁制になるなど、対称性が直接物性選択則を与える。

3. 回折と構造因子:実空間と逆空間の接続

3.1 ブラッグ条件

X線・中性子・電子線回折は、格子の周期性を逆空間で観測する手段である。弾性散乱の条件は

Δk=koutkin=G

であり、等価にブラッグ条件

2dsinθ=nλ

としても表現される(d は格子面間隔)。

3.2 構造因子

単位胞内の原子位置 rj と散乱因子 fj に対し、構造因子は

F(G)=jfjeiGrj

で定義され、回折強度は一般に |F(G)|2 に比例する。消滅則(系統的欠測)は、基底と対称性の情報を含む。

4. 格子振動(フォノン):弾性波から量子化まで

4.1 1次元単原子鎖:分散関係の出発点

質量 M、ばね定数 K の1次元単原子鎖の運動方程式は

Mu¨n=K(un+12un+un1)

であり、平面波解 unei(qnaωt) を代入すると

ω(q)=2KM|sinqa2|

が得られる。小さな q では ωvs|q| と線形になり、音速 vs を与える。

4.2 単位胞内自由度と音響・光学分枝

単位胞に複数原子があると、音響(acoustic)分枝に加えて光学(optical)分枝が現れる。光学モードは赤外活性・ラマン活性など分光応答と結びつき、結晶対称性により選択則が決まる。

4.3 フォノンの量子化

格子振動の正準量子化により、各正規モードは量子調和振動子となる。1モードのエネルギー準位は

En=ω(n+12)

である。フォノンはこの励起量子として扱われ、比熱・熱伝導・電子散乱の主要因となる。

4.4 デバイ模型と熱容量

低温での固体の比熱が T3 に比例することは、デバイ模型で説明される。フォノン状態密度 g(ω)ω2 を用いると、低温極限で

CVT3

が得られる。金属では電子比熱 Ce=γT が加わり、低温で CV=γT+βT3 という整理が現れる。

5. 周期ポテンシャル中の電子

5.1 ブロッホ定理

結晶の周期ポテンシャル V(r+R)=V(r) の下で、シュレーディンガー方程式の解は

ψnk(r)=eikrunk(r),unk(r+R)=unk(r)

と書ける。n はバンド指数、k はBZ内の結晶運動量である。

5.2 ほぼ自由電子とバンドギャップ

自由電子では E(k)=2k2/2m であるが、周期ポテンシャルはブラッグ反射によりゾーン境界で縮退を解き、ギャップを開く。これにより

  • 部分的に満たされたバンド:金属
  • 完全に満たされた価電子帯と空の伝導帯:半導体・絶縁体

という分類が現れる。

5.3 有効質量と準粒子像

バンド極値近傍で

E(k)E0+22ij(kik0i)(m1)ij(kjk0j)

と展開できるとき、電子は有効質量テンソル m を持つ準粒子として運動する。これは輸送・光学応答・量子振動の理解に直結する。

5.4 状態密度(DOS)

3次元自由電子の状態密度は

g(E)E

である。一方、バンド構造ではバン・ホーブ特異点など、分散の鞍点・極値に起因する特徴が現れる。DOSは比熱、磁化率(パウリ常磁性)、光学吸収など多くの観測量に現れる。

6. フェルミ統計と金属電子:フェルミ面の意味

6.1 フェルミ・ディラック分布

温度 T、化学ポテンシャル μ の下で占有数は

f(E)=1e(Eμ)/kBT+1

である。低温では μEF(フェルミエネルギー)となり、物性は EF 近傍の励起で支配される。

6.2 フェルミ面

フェルミ面は En(k)=EF を満たす k 空間の面であり、金属の輸送・磁気量子振動(ド・ハース=ファン・アルフェン効果等)・不安定性(密度波、超伝導)に深く関係する。

フェルミ面の形は、単純金属では自由電子球に近いが、遷移金属・層状物質・強相関物質では複雑になり得る。

7. 輸送現象

7.1 ドルーデ模型(古典的出発点)

平均散乱時間 τ を仮定すると、直流電気伝導率は

σ=ne2τm

となる。これは古典モデルであるが、散乱時間という概念は量子輸送でも基礎となる。

7.2 ボルツマン輸送と散乱

バンド構造 En(k) の下で、緩和時間近似を用いると

vn(k)=1kEn(k)

を速度として輸送係数を評価できる。抵抗の温度依存は、主に

  • 低温:不純物散乱(温度依存が弱い)
  • 中高温:フォノン散乱(温度依存が強い)

という寄与の和として理解される。

7.3 ホール効果

磁場 B の下で横電圧が生じ、ホール係数 RH が定義される。単純モデルでは

RH=1ne

であり、キャリア密度の指標となる。ただし多バンドや異方性があると単純な解釈は崩れる。

8. 半導体の基礎

8.1 キャリアと有効状態密度

バンドギャップ Eg を持つ半導体では、熱励起により電子と正孔が生成される。非縮退近似で電子密度 n、正孔密度 p

nNCe(ECμ)/kBT,pNVe(μEV)/kBT

と書ける。NC,NV は有効状態密度である。

8.2 ドーピングとフェルミ準位

ドナー(n型)・アクセプタ(p型)不純物の導入により μ が移動し、キャリアが増える。p-n接合では内蔵電位と空乏層が形成され、整流特性が現れる。

9. 磁性の基礎:局在スピンと遍歴電子

9.1 交換相互作用とハイゼンベルク模型

局在スピン系の出発点は

H=ijJijSiSj

である。Jij>0 なら強磁性、Jij<0 なら反強磁性が安定になりやすい。

9.2 磁化率と相転移

高温常磁性ではキュリー・ワイス則

χ=CTΘ

が現れ、Θ は有効交換相互作用の符号・大きさを反映する。臨界現象としては、秩序変数と自由エネルギーの展開(ギンズブルグ=ランダウ的な考え方)が有用である。

9.3 遍歴電子磁性

金属では電子が遍歴し、スピン分極したバンド構造として磁性が現れる。パウリ常磁性は

χPauli=μ0μB2g(EF)

のようにDOSに比例する形で理解され、強磁性はストーナー条件などで議論される。

10. 超伝導の基礎:マクロな量子状態

10.1 基本現象

超伝導の主要特徴は

  • 電気抵抗がゼロ
  • マイスナー効果(完全反磁性)

である。ロンドン方程式から磁場の侵入長(ロンドン浸透長) λL が現れ、磁場が指数的に減衰する。

10.2 BCSとギャップ

BCS理論では、フォノン媒介の有効引力によりクーパー対が形成され、エネルギーギャップ Δ が生じる。臨界温度 Tc とギャップには

2Δ(0)3.52kBTc

という関係(弱結合極限)が得られる。

10.3 GL理論とタイプI/II

ギンズブルグ=ランダウ理論では秩序変数 ψ を導入し、自由エネルギー汎関数を最小化する。コヒーレンス長 ξ と浸透長 λ の比

κ=λξ

により、タイプI(κ<1/2)とタイプII(κ>1/2)に分類される。タイプIIでは磁束量子が渦糸として侵入し、量子化磁束

Φ0=h2e

が現れる。

11. 強相関電子系:相互作用がバンド像を超えるとき

11.1 ハバード模型

相互作用の最小モデルとして

H=tij,σ(ciσcjσ+h.c.)+Uinini

がある。運動エネルギー(t)とオンサイト反発(U)の競合により、モット絶縁体、反強磁性、非フェルミ液体的性質などが現れ得る。

11.2 準粒子と崩れ

弱相互作用ではフェルミ液体として準粒子が成り立つが、強相関ではスペクトルが分裂し(ハバードバンド)、単純なバンド理論が不十分になる場合がある。実験的にはARPES、光学伝導度、比熱、量子振動などから相関の強さを推定する。

12. トポロジカル物質:幾何学(ベリー位相)と物性

12.1 ベリー接続と曲率

ブロッホ状態 |unk に対し、ベリー接続 An(k) とベリー曲率 Ωn(k)

An(k)=iunk|kunk,Ωn(k)=k×An(k)

で定義する。これらは輸送(異常ホール効果など)や表面状態の保護と結びつく。

12.2 チャーン数と量子ホール

2次元絶縁体では、占有バンドのベリー曲率をBZで積分したチャーン数 C が量子化輸送を与える:

C=12πBZΩ(k)d2k,σxy=e2hC

この種の「トポロジカル不変量」は、散乱や連続変形に対して頑健である点が重要である。

12.3 トポロジカル絶縁体と表面状態

時間反転対称性などの対称性により、ギャップを持つバルクと、ギャップレスな表面状態が共存する相が現れる。スピン軌道相互作用が重要な役割を果たす場合が多い。

13. 相転移と秩序:対称性の破れと臨界現象

相転移は、秩序変数(例:磁化、超伝導秩序)と対称性で整理できる。

ギンズブルグ=ランダウの考え方では、秩序変数 η に対して

F(η)=F0+a(T)η2+bη4+

を考え、a(T) の符号変化で秩序が出現する。臨界近傍では揺らぎが支配的となり、平均場描像を超えた普遍性(臨界指数)が現れる。

14. 実験手法:何を測ると何が分かるか

凝縮系物理では、構造・電子状態・励起・輸送・局所応答を多角的に測定する。

手法主に得られる量物理的解釈の焦点
X線回折(XRD)結晶構造、格子定数対称性、相同定、歪
中性子散乱磁気構造、フォノンスピン秩序、格子振動
ARPESバンド分散、フェルミ面準粒子、相関、トポロジー
STM/STS局所DOS、欠陥状態局所電子状態、ギャップ
輸送測定ρ(T)RH散乱、キャリア、相
比熱C(T)DOS、ギャップ、揺らぎ
磁化・MCD等磁気応答、スピン分極交換、磁気異方性

各測定は「観測量→モデル→パラメータ→物性像」という往復で理解が深まる。例えば、比熱の低温項から g(EF) を見積もる、ARPESで自己エネルギーの効果を見る、散乱で分散関係を直接測る、といった対応がある。

まとめと展望

固体物理(凝縮系物理)の初歩は、(i) 結晶の周期性が逆格子とブリルアンゾーンを導き、(ii) 格子振動がフォノンとして量子化され、(iii) 電子がブロッホ状態とバンドとして整理され、(iv) 統計と相互作用により金属・半導体・磁性・超伝導などの相が生じる、という一本の流れで理解できる。さらに、強相関やトポロジカル概念は、バンド像の拡張として「相互作用」や「幾何学的位相」が物性を支配し得ることを示し、現代凝縮系の中心的視点になっている。

最後に、初歩として押さえておくと見通しが良い対応をまとめる。

テーマ基本概念代表式・量
構造格子・逆格子G、BZ
振動フォノンω(q)CVT3
電子ブロッホ波・バンドψnkEn(k)
金属フェルミ面f(E)EF
輸送散乱と応答σ=ne2τ/m
磁性交換相互作用H=JSiSj
超伝導秩序とギャップΔΦ0=h/2e
相関競合ハバード tU
トポロジーベリー曲率C=12πΩd2k

展望としては、第一に、実空間(構造)と逆空間(分散・BZ)を往復できる力が、理解の安定性を大きく高める。第二に、励起(フォノン・マグノン・準粒子)を「測定可能な分散関係」として捉えることで、理論と実験が直結する。第三に、相互作用・無秩序・トポロジーの組み合わせが新しい相と機能を生み続けており、量子材料設計、スピントロニクス、量子デバイスへと接続する基盤として、凝縮系物理は今後も発展していく。

参考文献・資料