フォノン輸送の隠れた多様性：GeO₂の異方的熱伝導が問う「三フォノン仮説」の限界
- 執筆日: 2026-03-23
- トピック: 超広バンドギャップ半導体GeO₂における異方的熱輸送とフォノン散乱の微視的起源
- 注目論文: arXiv:2603.18885
- 参照した関連論文数: 6本
1. 導入：なぜ今、フォノン輸送が問われるのか
電気自動車の普及、データセンターの省電力化、高出力レーザーの高効率化——これらに共通するのは、大きな電力を小さなチップで処理することへの要求だ。パワー半導体に求められる性能は飛躍的に高まっており、シリコン（Si）の限界を超える材料として「超広バンドギャップ半導体」（Ultrawide-Bandgap Semiconductor, UWBG）が注目を集めている。
現在の主役はβ-Ga₂O₃（バンドギャップ Eg ≈ 4.9 eV）だが、最近、ルチル型GeO₂（Eg ≈ 4.7 eV）が新たな候補として浮上してきた。GeO₂は絶縁破壊電界が高く、n型ドーピングも比較的容易だという利点を持つ。しかし半導体デバイスとして実用化するには、「どれだけ熱を逃がせるか」という熱管理の問題が避けて通れない。発熱したままのチップは性能を低下させ、最終的には破壊される。熱伝導率が高ければ高いほど、発生した熱をすばやく外部に逃がせる。
ところがGeO₂の熱伝導率を詳しく調べると、予想外の振る舞いが見えてきた。arXiv:2603.18885（Emtenani, Loletti, Nippert らのグループ）が報告したのは、GeO₂の熱伝導率が結晶方位によって大きく異なること、そして温度依存性が単純なT^{-1}則に従わないことだ。この「ずれ」は何を意味するのか。それを解読するためには、フォノン（格子振動の量子）の散乱メカニズムを根底から問い直す必要がある。
本記事では、この注目論文を核に据えながら、超広バンドギャップ半導体における熱輸送の物理、フォノン散乱理論の最前線、そして材料設計への展開を立体的に解説する。
2. 解決すべき問い
本題に入る前に、フォノン熱輸送のエッセンスを整理しておこう。
熱伝導率とフォノン
固体の熱伝導率 κ は、フォノン気体論モデルでおおよそ次のように表せる：
ここで C_V は体積比熱、v はフォノンの群速度（音速に近い）、ℓ はフォノンの平均自由行程（散乱されるまでの平均距離）だ。熱伝導率を上げるには、フォノンをできるだけ遠くまで「邪魔されずに」飛ばせればよい。
散乱の機構と温度依存性
フォノンは主に三つのメカニズムで散乱される。一つ目は「フォノン同士の衝突」、二つ目は「欠陥・不純物」、三つ目は「試料の境界」だ。純良な結晶では最初のメカニズム、すなわちアンハーモニック（非調和）相互作用が支配的となる。最も単純な描像では、三つのフォノンが相互作用する「三フォノン散乱（3ph）」が支配的で、この場合κ ∝ T^{-1}という温度依存性が導かれる。温度が下がると格子振動の振幅が小さくなってフォノン同士の衝突が減り、熱伝導率が上がるわけだ。
しかし実際には、四つのフォノンが関与する「四フォノン散乱（4ph）」や、さらに高次の散乱も存在する。これらが無視できない場合、温度依存性は T^{-1} より急峻になる——つまり、より急な温度依存 T^{-n}（n > 1）が現れる。
異方性の起源
結晶は方向によって原子配列が異なるため、フォノンの群速度や散乱率も方向依存性（異方性）を持つ。ルチル型構造（正方晶）を持つGeO₂では、[001]方向（c軸方向）と[110]方向で原子間結合の強さや配列が異なり、それがフォノン伝播の異方性として現れる。
3. 注目論文は何を新しく示したのか
arXiv:2603.18885 は、ルチル型GeO₂単結晶の熱伝導率を80〜350 Kの広い温度範囲にわたって精密に測定し、第一原理計算と組み合わせて微視的起源を解明した研究だ。
主な実験結果
室温（295 K）での測定値は以下の通りだ：
| 方向 | 熱伝導率 |
|---|---|
| [001]（c軸） | 47.5 ± 3.2 W m⁻¹ K⁻¹ |
| [110] | 32.5 ± 3.0 W m⁻¹ K⁻¹ |
| 異方比 | 1.46 |
これはβ-Ga₂O₃（最大でも27 W m⁻¹ K⁻¹ 程度、異方比も同程度）を上回る数値だ。GeO₂は熱管理の観点で Ga₂O₃ より優位に立つ可能性がある。
謎の温度依存性
より興味深いのは温度依存性だ。両方向とも、80〜350 Kの範囲でκ ∝ T^{−1.4} という関係が観測された（図の概要参照）。三フォノン散乱が支配的であれば T^{-1} になるはずなのに、それより急峻な傾向が見られる。これは、三フォノン散乱だけでは説明できない「追加の散乱機構」——おそらく四フォノン散乱——が効いていることを示唆している。
さらに、低温では異方比が減少する。つまり[001]と[110]の差が小さくなる。第一原理計算との比較から、高周波数フォノンが[001]方向の熱輸送に大きく寄与しており、温度が下がるにつれてそれらの高周波モードが凍結（ボーズ-アインシュタイン分布により占有率が低下）されることで異方性が消えていくという描像が得られた。
界面熱コンダクタンス
この論文はAl/GeO₂界面の熱境界コンダクタンス（Kapitza コンダクタンス）も評価している。熱容量で規格化した界面コンダクタンスがほぼ温度に依存しないという結果は、界面での熱輸送が「弾性的（elastic）」であることを示す——つまり、界面を渡るフォノンのエネルギーが変わらないことを意味する。これはデバイス設計における界面抵抗の見積もりに重要な知見だ。
実験手法：TDTR
測定には時間領域サーモリフレクタンス法（TDTR: Time-Domain Thermoreflectance）が使われた。これはポンプ光でサンプル表面を瞬間的に加熱し、プローブ光でその後の温度緩和（反射率変化）を時間分解で追う手法だ。Al薄膜を試料表面に蒸着し、これをトランスデューサーとして使う。異なる方向の試料を切り出すことで方向依存性を測定できる。
4. なぜ熱伝導率は方向によって違うのか：群速度と寿命の役割
異方性の起源を理解するには、フォノンの「速さ」と「長生きさ」を方向ごとに解析する必要がある。注目論文では第一原理計算によるモード分解解析（mode-resolved spectral analysis）を行っており、二つの主な要因を特定している。
一つ目は群速度の異方性だ。[001]方向の横波および縦波音響モードの群速度は、[110]方向に比べて全体的に大きい。これはルチル型構造の原子配列の対称性の違いから生じる。音波の「速さ」が方向によって異なることで、熱伝導率にも差が生まれる。
二つ目はフォノン寿命の周波数依存性と方向依存性だ。高周波数フォノン（=「速く振動するモード」）の寿命が[001]方向と[110]方向で異なる。低温になると、これらの高周波モードはボーズ-アインシュタイン統計によって占有率が急速に低下し、熱伝導への寄与が失われる。[001]方向はこれらの高周波モードへの依存度が高いため、低温での異方比が減少するという観測と整合する。
β-Ga₂O₃との比較
ルチル型GeO₂のアナログとして最も比較すべき材料は、β-Ga₂O₃（モノクリニック型）だ。arXiv:2410.11106（Alkandari ら）はβ-Ga₂O₃の熱伝導率異方性の微視的起源を詳細に調べており、「八面体配位ガリウム原子が最もアンハーモニックであり、フォノン繰り込み（phonon renormalization）を考慮することではじめて実験と理論が整合する」ことを示した。これはGeO₂にも共通するテーマだ。実験から求めた Ga₂O₃ の熱伝導率異方性（最大κ_max ≈ 27 W/mK）はGeO₂ の [001] 方向（47.5 W/mK）より低い。Ga₂O₃のモノクリニック構造はルチル型より対称性が低く、これが散乱を増やして熱伝導率を下げると解釈できる。
arXiv:2506.05726（Wright らのグループ）はブリルアン光散乱分光を用いてGa₂O₃の音響フォノンを方向依存に測定し、「音速の異方性が主因で、フォノン寿命の異方性は副次的」という結論を得ている。注目論文のGeO₂の場合は群速度と寿命の両方が重要だという点で、同一カテゴリーの材料でも微視的起源が異なることは示唆に富む。
5. T^{-1.4}の謎：三フォノン散乱の限界と高次散乱の役割
注目論文で観測されたκ ∝ T^{-1.4} という温度依存性は、この分野で近年注目されているより大きな問いへとつながる。「三フォノン散乱（Umklapp 散乱）だけで固体の熱輸送を説明できるのか」という問いだ。
三フォノン散乱とT^{-1}則
高温でのUmklapp（折り返し）散乱が支配的な場合、フォノンの平均自由行程 ℓ ∝ T^{-1} となるためκ ∝ T^{-1}が成立する。これは長年の「標準モデル」だ。しかしGeO₂の T^{-1.4} は、この標準モデルからの明確な逸脱を示している。
四フォノン散乱の重要性
arXiv:2603.16477（Zhang らのグループ）は欠陥カルコパイライト（II-III₂-VI₄型）における熱電変換を研究しており、四フォノン散乱が支配的（4ph-dominated）な熱輸送の好例を示した。この系では空孔（vacancy）の規則配列が格子歪みを局所的に増幅し、強い非調和性を引き起こす。CdGa₂Te₄では格子熱伝導率が 0.19 W m⁻¹ K⁻¹ という超低値を達成しており、四フォノン散乱の位相空間（4ph scattering phase space）が大幅に拡大していることが第一原理計算で示された。このような強い非調和性を持つ物質では T^{-1} より急峻な温度依存性が自然に現れる。
GeO₂の場合は熱伝導率の絶対値は大きいが、T^{-1.4}のべき乗指数の「ずれ」は、四フォノン散乱の寄与を反映している可能性が高い。これを完全に定量化するには、第一原理での四フォノン計算が必要だが、計算コストは格段に増大する。
フォノン輸送の「粒子波二重性」
さらに進んだ視点を与えてくれるのが、arXiv:2603.14213（Shang らのグループ）のMgAgSbに関する研究だ（CC BY 4.0）。この研究では、構造相転移（α→β→γ）を経ることで熱輸送の機構が根本的に変化することを示した。
図1：MgAgSb の三相（α, β, γ）における結晶構造と熱伝導率の温度依存性（arXiv:2603.14213 より、CC BY 4.0）。
複雑なα相では、密なフォノンスペクトルのためにフォノン固有状態間のコヒーレントなトンネリング——「波動的熱伝導率（wave-like conductivity）」——が全体の44%を占める。β・γ相では四フォノン散乱が「粒子的熱伝導率（particle-like conductivity）」を大幅に抑制するが、α相では波動的・粒子的両成分が絶妙なバランスを取ることで、全体として弱い温度依存性（κ ∝ T^{-0.33}）が生じる。
図2：MgAgSb 三相のフォノンバンド構造と phonon DOS（arXiv:2603.14213 より、CC BY 4.0）。α相では格段に密なスペクトルが、コヒーレントトンネリング（波動的輸送）の舞台となっている。
フォノンを単純な「熱を運ぶ粒子」として扱う描像（粒子的輸送）だけでは、このような系を正しく記述できない。GeO₂の T^{-1.4} も、複数の散乱機構が絡み合った結果である可能性を、この研究は示唆している。
6. ボルツマン方程式の限界：理論的枠組みの刷新
フォノン熱輸送の計算において最も広く使われているのは、ペーールズ-ボルツマン輸送方程式（PBTE: Peierls-Boltzmann Transport Equation）だ。しかしこの方程式には根本的な限界があることが、最近になって明確になってきた。
二つの深刻な問題
arXiv:2603.16753（Colombo らのグループ、CC BY 4.0）は、標準的なフェルミの黄金律（Fermi Golden Rule: FGR）に基づくPBTEが抱える二つの重大な問題を指摘した。
一つ目はダイヤモンドでの収束問題だ。ダイヤモンドは 2000 W m⁻¹ K⁻¹ を超える超高熱伝導率を持つが、標準的なBTE計算では結果がスメアリングパラメーター（Dirac δ関数の近似に使うガウス関数の幅）に強く依存し、収束しない。
二つ目は2次元材料での系統的失敗だ。グラフェンやGeSe単層のような2D系では、屈曲音響モード（ZA フォノン）に対して標準BTE が過剰減衰（overdamping）を予測するという問題がある。これは物理的に非現実的な結果で、2D熱輸送の研究全体に影を落とす。
LGBTE：解決策の概念
図3：標準BTEとLGBTEの計算フロー比較（arXiv:2603.16753 より、CC BY 4.0）。フォノン寿命（線幅）を自己無撞着に決定することが鍵となる。
この論文が提案するのは、Kadanoff-Baym方程式（KBE）という量子統計力学のより基礎的な方程式から出発した「線形化一般化BTE（LGBTE: Linearized Generalized BTE）」だ。標準BTEはフォノンが無限に鋭い（Dirac δ関数的な）エネルギーを持つ「理想的な準粒子」として扱うが、LGBTEではフォノンの有限の線幅（衝突的広がり）を自己無撞着に考慮する。
図4：スメアリングパラメーター依存性の比較（arXiv:2603.16753 より、CC BY 4.0）。LGBTEは両材料で安定した収束を示す。
結果として、LGBTE は：
- ダイヤモンドの収束問題を解決し、実験値（≈ 2200 W/mK）と整合した値を与える
- 2D系でZAフォノンの overdamping を解消し、物理的に正しい熱伝導率を再現する
これはフォノン輸送理論の基礎的な進展であり、GeO₂のような UWBG 半導体のより精密な計算にも将来的に有用となる。
7. 材料・手法・応用への広がり
記述子による材料設計：フォノンバンドセンター
arXiv:2603.18791（Khatun らのグループ）は「フォノンバンドセンター（Phonon Band Center: PBC）」と呼ぶ新しい材料記述子を提案した。PBCはフォノンバンド全体の平均エネルギー（重心）を表す簡潔な指標であり、グリューナイゼン定数（Grüneisen parameter γ）と逆比例の相関を示し、格子熱伝導率とも強い相関を持つことをカルコパイライト系で実証した。
グリューナイゼン定数は非調和性の指標であり、大きいほどフォノン散乱が強く（熱伝導率が低い）なる。PBCは複雑な非調和力定数計算を行わなくても、ゼロ次近似として非調和性を捉えられる。これはマテリアルズ・インフォマティクスの観点からも魅力的で、大量の候補材料を高速スクリーニングする際の特徴量として活用できる。GeO₂のPBCは今後の測定・計算で評価される可能性がある。
熱電変換との接続
arXiv:2603.16477 の示した空孔秩序化カルコパイライトは、フォノン工学（phonon engineering）によって超低熱伝導率（0.19 W/mK）と比較的良好な電子性能（室温 ZT ≈ 0.957）を同時に達成した。デバイス応用の観点からは「熱を逃がしたい」UWBG 半導体と「熱を逃がしたくない（温度差を維持したい）」熱電材料は正反対の要求を持つが、どちらもフォノン散乱機構の精密な制御が鍵であるという点は共通している。
GHz 音響フォノンの分光
arXiv:2506.05726 が Ga₂O₃ に適用したブリルアン-マンデルシュタム光散乱（BLS）は、超音波周波数領域のフォノンを波数依存に測定できる手法だ。TDTR が熱拡散（輸送）に直接アクセスするのに対し、BLS は分散関係（群速度）をより直接的に測定できる。この二つの手法の組み合わせが、将来的に GeO₂や他のUWBG材料の熱輸送解析をさらに深める方向性を示している。
相転移を跨ぐフォノン輸送の制御可能性
arXiv:2603.14213 のMgAgSbの知見は、相転移を「スイッチ」として利用してフォノン輸送モードを切り替えるという可能性を示す。α相（コヒーレントトンネリング支配）とγ相（粒子散乱支配）では、同じ材料でも熱伝導率の温度依存性が根本的に異なる（κ ∝ T^{-0.33} vs T^{-1.0} 以上）。これは「熱スイッチ」や「熱整流素子」への応用として興味深い。
8. 基礎から理解する
フォノンとは
原子は格子点の周りで熱振動している。この振動は「波」として伝わり、その量子を「フォノン」と呼ぶ。フォノンはボーズ粒子（スピン0の粒子）なので、ボーズ-アインシュタイン統計に従う。温度が高いほど多くのフォノンが励起され、振幅が大きくなる。フォノンには音速以下（acoustic branch）と以上（optical branch）のブランチがあり、前者が熱輸送の主役だ。
アンハーモニック散乱
原子間ポテンシャルが調和（harmonic）、すなわち変位の二乗に比例するだけなら、フォノンは互いに散乱せずに無限に遠くまで伝播し、熱伝導率は無限大になる。実際の原子間ポテンシャルは三次・四次項などの「非調和（anharmonic）」成分を含み、これがフォノン同士を衝突させる。三次項 → 三フォノン散乱（Umklapp, Normal）、四次項 → 四フォノン散乱、という具合だ。
ボルツマン輸送方程式（BTE）
フォノンを「気体分子」と見なし、その統計分布関数がどう変化するかを記述する方程式が BTE だ。フォノンの「流れ」（群速度による輸送）と「衝突」（散乱による緩和）のバランスから熱伝導率が導かれる。第一原理計算では密度汎関数理論（DFT）で力定数を求め、これをBTEに入力して κ を計算する。
TDTR（時間領域サーモリフレクタンス）
薄膜（通常はAl）を試料表面に蒸着し、フェムト秒パルスレーザー（ポンプ光）で瞬間的に加熱する。別のレーザー（プローブ光）で表面の反射率変化を時間遅延を変えながら測定することで、熱拡散の時間発展を追う。これをモデルフィットすることで熱伝導率と界面熱コンダクタンスを同時に決定できる。方向依存性の測定には、異なる方向に切り出した試料を準備する。
グリューナイゼン定数とT^{-1}則
モードγのグリューナイゼン定数 γ_i = -∂ ln ω_i / ∂ ln V は、体積変化に対するフォノン振動数の変化率だ。これが大きいほど非調和性が強い。三フォノン Umklapp 散乱が支配的なとき、緩和時間 τ ∝ 1/T となるため κ = C_V v² τ ∝ T^{-1} が得られる。四フォノン散乱が加わると τ の温度依存性がより急峻になり、κ ∝ T^{-n}（n > 1）となる。
9. 重要キーワード 10 個の解説
1. 超広バンドギャップ半導体（UWBG Semiconductor） バンドギャップが概ね 4 eV 以上の半導体。β-Ga₂O₃（4.9 eV）、AlN（6.0 eV）、ダイヤモンド（5.5 eV）、GeO₂（4.7 eV）などがある。絶縁破壊電界が大きいため高電圧スイッチング素子に適するが、熱管理が課題である。
2. 格子熱伝導率（Lattice Thermal Conductivity）κ_L フォノンが担う熱伝導率。電子が担う電子熱伝導率と区別する。絶縁体や半絶縁体ではほぼ κ_L が全体を占める。単位は W m⁻¹ K⁻¹。
3. Umklapp散乱（U-process） 三フォノン散乱のうち、運動量の逆格子ベクトル分の「折り返し」を伴う過程。これが熱抵抗の起源となる。通常（N）過程は折り返しを伴わず、単独では有限の熱抵抗を生まない。
4. フォノン群速度（Phonon Group Velocity） フォノンパッケットの伝播速度 v = ∂ω/∂k。音速に近い。方向依存性（異方性）があり、熱伝導率の異方性の一因となる。
5. 四フォノン散乱（Four-Phonon Scattering） 四つのフォノンが関与するアンハーモニック散乱。三フォノン散乱に比べて位相空間が広く、強い非調和性を持つ材料や高温では無視できない。κ の温度依存性を T^{-1} より急峻にする。
6. グリューナイゼン定数（Grüneisen Parameter） 非調和性の強さを表すパラメーター γ = -V/ω × ∂ω/∂V。大きいほどフォノン散乱が強く熱伝導率が低い。熱電材料（低 κ が望ましい）の設計指標として重要。
7. 時間領域サーモリフレクタンス（TDTR） ポンプ-プローブ法による熱伝導率測定技術。フェムト秒レーザーで薄膜を加熱し、反射率変化から熱拡散率を求める。単結晶の方向依存性測定や薄膜・界面の熱特性評価に広く使われる。
8. 熱境界コンダクタンス（Thermal Boundary Conductance）G_TBC 二種類の材料が接する界面を熱が通過する際の伝達係数。単位は MW m⁻² K⁻¹。フォノンスペクトルの「ミスマッチ」が大きいと小さくなる（= 熱が通りにくい）。デバイス設計における界面の熱抵抗評価に直結する。
9. ペーールズ-ボルツマン輸送方程式（PBTE） フォノン輸送の標準的な理論的枠組み。フォノンの非平衡分布関数の時間発展を、流れ（群速度）と衝突項（フォノン-フォノン散乱など）で記述する。第一原理計算と組み合わせることで材料の熱伝導率を予測できる。
10. コヒーレントフォノントンネリング（Coherent Phonon Tunneling） 複雑なフォノンスペクトルを持つ系で、異なる固有モード間の「波動的な重なり」によって熱が輸送される機構。古典的な粒子的散乱描像では捉えられず、波動力学的な取り扱いが必要。密なフォノンバンドを持つ複雑な結晶構造（例：α-MgAgSb）で重要になる。
10. まとめと今後の論点
arXiv:2603.18885 が明らかにした GeO₂のフォノン熱輸送の二つの謎——方向依存性と T^{-1.4} の温度べき——は、この材料固有の問題に留まらず、「フォノン散乱の標準モデルはどこまで信頼できるか」という普遍的な問いへとつながっている。
今後の論点として、以下が挙げられる。
まず、GeO₂の四フォノン散乱の定量的評価だ。T^{-1.4}のべき指数が四フォノン散乱の寄与を定量的に反映しているのか、それとも別の機構（高次のU過程、欠陥散乱の残存など）が関与しているのかを、LGBTE（arXiv:2603.16753）などの高度な計算枠組みで検証する必要がある。
次に、異方比の温度依存性の解明だ。高周波フォノンの役割は定性的には明らかだが、どの具体的な音響・光学モードが決定的かを同定するには、中性子非弾性散乱や放射光 X 線散漫散乱など、モード選択的な実験が有効だろう。
さらに、GeO₂デバイスへの応用展開だ。電力デバイスで重要なのは基板との接合界面の熱抵抗であり、本論文が明らかにした界面の「弾性的輸送」という知見は、低熱抵抗接合の設計指針を与える。
最後に、材料設計の視点だ。arXiv:2603.18791 が提案するフォノンバンドセンター記述子や、arXiv:2603.16477 が示した非調和性設計の方法論は、次の UWBG 材料（ルチル型SnO₂や新規酸化物など）を高熱伝導率あるいは高 ZT を目指して探索する際のガイドラインとなりうる。
フォノン輸送は「退屈な熱の問題」ではない。三フォノンか四フォノンか、粒子か波動か、等方か異方か——その答えは材料ごとに異なり、それを解き明かすための理論・実験・計算の三位一体のアプローチが、まさに今、急速に発展している。
11. 参考にした論文一覧
| # | arXiv ID | 役割 | タイトル | 著者（筆頭） |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2603.18885 | 注目論文 | Microscopic Origin of Temperature-Dependent Anisotropic Heat Transport in Ultrawide-Bandgap Rutile GeO₂ | Emtenani et al. |
| 2 | 2603.16753 | 理論的背景 | Phonon collisional broadening and heat transport beyond the Boltzmann equation | Colombo et al. |
| 3 | 2410.11106 | 比較材料 | Anisotropic Anharmonicity Dictates the Thermal Conductivity of Gallium Oxide (β-Ga₂O₃) | Alkandari et al. |
| 4 | 2603.14213 | 比較・手法 | Evolution of Phonon Transport Across Structural Phase Transitions in MgAgSb | Shang et al. |
| 5 | 2603.16477 | 異なる系での類比 | Anharmonicity Driven by Vacancy Ordering Unlocks High-performance Thermoelectric Conversion in Defective Chalcopyrites II-III₂-VI₄ | Zhang et al. |
| 6 | 2603.18791 | 材料設計展開 | Phonon Band Center: A Robust Descriptor to Capture Anharmonicity | Khatun et al. |
| 7 | 2506.05726 | 実験手法の比較 | Acoustic Phonon Characteristics of Gallium Oxide Single Crystals Investigated with Brillouin-Mandelstam Light Scattering Spectroscopy | Wright et al. |
図のライセンス情報
- 図1, 図2（arXiv:2603.14213 より）: CC BY 4.0
- 図3, 図4（arXiv:2603.16753 より）: CC BY 4.0
- 注目論文（arXiv:2603.18885）の図：arXiv 非独占ライセンス。図の再掲載は省略し、文章で説明した。